在预清洁制程中防止间隙壁底切之方法

摘要

提供一种在预清洁制程中防止间隙壁底切之方法，此方法系使用一氢氟酸之乙二醇溶液同时蚀刻第一及第二间隙壁以防止产生间隙壁底切，并同时移除半导体基板表面上之俱生氧化层而得到一乾净之半导体基板表面。本方法包含下列步骤：首先，以一氢氟酸之去离子水溶液(HFindeionizedwater，DHF)移除半导体基板表面上之俱生氧化层，接着，以一氢氟酸之乙二醇溶液(HFdilutedbyethyleneglycol，HFEG)同时蚀刻第一间隙壁及第二间隙壁，并同时移除半导体基板表面上之俱生氧化层，因此，可得到一乾净之半导体基板表面且没有严重间隙壁底切之问题。