发明名称 导电凸块结构
摘要 于本发明导电凸块之结构中至少包含一层缓冲层,此缓冲层于接合过程中可形成一小形变,藉由缓冲层之形变可弥补所形成之不等高之金凸块间可能造成接合不良之问题,并藉此增加制程的可变异范围,提高产品生产的良率。
申请公布号 TW200407815 申请公布日期 2004.05.16
申请号 TW091133314 申请日期 2002.11.13
申请人 瀚宇彩晶股份有限公司 发明人 汤宝云
分类号 G09G3/00 主分类号 G09G3/00
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 台北市松山区民生东路三段一一五号五楼