一种触摸屏用防指纹膜的制备方法

摘要

本发明用于光电子器件制造技术领域，具体涉及电容式触摸屏用防指纹膜的制备工艺中，一种提高防指纹膜与强化玻璃基材附着力的制备方法。其包括如下的步骤：步骤1：将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化;步骤2：利用硅氧烷高温裂解形成SiOx，在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积SiOx缓冲层;步骤3：通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充O形成SiO2缓冲层；步骤4：利用热蒸发法在O2辉光放电后形成的SiO2缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜。

主权项

一种触摸屏用防指纹膜的制备方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：将洁净的强化玻璃基材放入PECVD沉积室中，通过O2和Ar辉光放电对玻璃基材进行刻蚀与活化; 其中所述的强化玻璃基材放入PECVD真空室内时，开始抽真空至压力为10‑3mbar，然后给真空室注入气体流量为500sccm的 O2和300sccm的Ar至真空室的压力为1.0×10‑4~2.0×10‑2mbar之间，加中频功率为6000w，然后5s内升至8000w放电启辉30s;步骤2：利用硅氧烷高温裂解形成SiOx，在离子清洗和刻蚀后的强化玻璃基材表面沉积SiOx缓冲层;其中所述的离子清洗和刻蚀完成后，抽真空至压力为5.0×10‑3mbar，然后充入气体流量为500sccm的O2和100sccm的硅油至真空室内压力为1.0×10‑4~5.0×10‑1mbar之间，持续中频功率为8000w开始沉积SiOx，沉积时间为30s，得到厚度为10‑20nm的SiOx缓冲层;步骤3：通过O2辉光放电，对SiOx缓冲层进行刻蚀、剥离附着力较差的SiOx和补充O形成SiO2缓冲层；其中步骤2中所述的SiOx沉积完成后，抽真空至压力为1.0×10‑2mbar，持续充入气体流量为500sccm的O2至真空室内压力为1.0×10‑4~5.0×10‑1mbar之间，持续中频功率为8000w放电起辉30s，起到刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充O形成SiO2缓冲层的作用;步骤4：利用热蒸发法在O2辉光放电后形成的SiO2缓冲层表面沉积触摸屏用防指纹膜;其中步骤3中所述的刻蚀SiOx表面、剥离附着力较差的SiOx和为SiOx补充O形成SiO2缓冲层完成后，抽真空至压力为10‑5mbar，30s内将灯丝电流由0A提升至270A，开始沉积触摸屏用防指纹膜，沉积时间为150s，得到厚度为10‑30nm的触摸屏用防指纹膜层。