| 发明名称 | 掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法。根据本发明的选择性外延生长中的掩膜成核消除方法包括：利用SiOxNy化合物作为掩膜层材料，其中SiOxNy化合物中参数x和y的选择使得SiOxNy化合物掩膜层材料中的硅含量低于SiON和氮化硅SiN中的硅含量，并且其中参数x和参数y为有理数。通过降低掩膜层材料中的硅含量可以有效地减少成核点，抑制掩膜上的成核，进而有效地控制了硅对掩膜硅化物的选择性。 | ||
| 申请公布号 | CN102354659A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110341975.7 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王灼平;黄锦才 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种选择性外延生长中的掩膜成核消除方法，其特征在于包括：利用SiOxNy化合物作为掩膜层材料，其中SiOxNy化合物中参数x和y的选择使得SiOxNy化合物掩膜层材料中的硅含量低于SiON和氮化硅SiN中的硅含量，并且其中参数x和参数y为有理数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||