| 发明名称 | 对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物 | ||
| 摘要 | 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。 | ||
| 申请公布号 | CN102352488A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110300900.4 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 威廉·杭克斯;陈天牛;许从应;杰弗里·F·罗德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;马蒂亚斯·斯滕德;陈世辉;格雷戈里·T·施陶夫;布赖恩·C·亨德里克斯 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;C07C395/00(2006.01)I;C07F9/90(2006.01)I;C07F19/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种用于在基板上沉积锗锑碲材料的气相沉积方法，包括：挥发包含二(正丁基，N，N‑二异丙基脒)锗的锗前体以形成含锗前体蒸汽；挥发有机锑前体以形成含锑前体蒸汽；和挥发有机碲前体以形成含碲前体蒸汽；以及使所述含锗前体蒸汽、含锑前体蒸汽和含碲前体蒸汽在有效用于沉积的条件下与所述基板接触，从而将所述锗锑碲材料沉积在所述基板上。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||