发明名称 |
包含掺杂有金属的钼氧化物层的有机电子发光元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明目的在于提供一种容易制造,且发光特性及使用寿命特性良好的有机电致发光元件及其制造方法。本发明的有机电致发光元件具有阳极、发光层及阴极,并具有配置于阳极与发光层之间的掺杂有金属的钼氧化物层。本发明的有机电致发光元件的制造方法包括:在构成元件的其它层上同时层叠钼氧化物层及掺杂金属,来形成掺杂有金属的钼氧化物层的层叠工序。 |
申请公布号 |
CN101785129B |
申请公布日期 |
2012.02.15 |
申请号 |
CN200880102217.6 |
申请日期 |
2008.08.01 |
申请人 |
住友化学株式会社 |
发明人 |
森岛进一 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
一种有机电致发光元件,其具有阳极、发光层及阴极,还具有设置于所述阳极与所述发光层之间的、掺杂有金属的钼氧化物层,所述掺杂有金属的钼氧化物中的掺杂金属的含有比例为0.1~20.0mol%。 |
地址 |
日本国东京都 |