| 发明名称 | 一种双层高介电常数栅介质薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种同时具有高介电常数、低漏电流和低氧化层电荷密度、薄界面层的双层栅介质薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于先用磁控溅射的技术沉积一层很薄的缓冲层，该缓冲层为Si3N4或HfO2，然后用反应溅射的方法在其上再沉积一层Ta2O5薄膜，由于该缓冲层能阻止界面层(SiO2)的形成，另外其介电常数比SiO2大得多，所得到的双层介电薄膜有很好的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101510556B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN200810197976.7 | 申请日期 | 2008.11.28 |
| 申请人 | 湖北大学 | 发明人 | 王浩;汪宝元;王毅;叶葱;冯洁;朱建华 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人 | 丁齐旭 |
| 主权项 | 一种双层高介电常数栅介质薄膜，它以硅片为基片，其特征是先用磁控溅射的技术沉积一层厚度为1‑3nm的缓冲层，再生长一层厚度为20‑100nm的Ta2O5层，所得的双层薄膜在N2的气氛下700摄氏度快速退火处理；所述的缓冲层为HfO2。 | ||
| 地址 | 430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号 | ||