| 摘要 |
本发明揭示一种光子结晶发光二极体(“PXLED”)。该光子结晶发光二极体包括一周期结构，例如像一电洞的晶格，在一发光二极体的半导体层中形成。该周期结构的参数，使得由该光子结晶发光二极体发射的光子能量，位于接近该周期结构的带状结构的能量带边缘。金属电极层对该等光子结晶发光二极体的效率有很大影响。并且，由GaN形成的光子结晶发光二极体具有一低的表面复合速度，因此可达到高效率。该等光子结晶发光二极体系利用创新的制造技术形成，例如像用于一图案化光罩层上的磊晶侧向共生技术，产生具有低瑕疵密度的半导体层。倒置该光子结晶发光二极体以曝光光罩层的图案或是使用塔尔波特(Talbot)效应建立一对齐的第二图案光罩层，可允许形成具有低瑕疵密度的光子结晶发光二极体。 |
