氮化物系半导体发光元件、照明装置、液晶显示装置和氮化物系半导体发光元件和照明装置的制造方法

摘要

本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。

主权项

一种照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，其中，所述第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片，所述半导体芯片包括由AlxInyGazN半导体形成的氮化物系半导体层叠结构，所述氮化物系半导体层叠结构含有由m面氮化物半导体层构成的活性层区域，在此，x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0，所述第一和第二氮化物系半导体发光元件均从所述活性层区域出射偏振光，在将所述第一和第二氮化物系半导体发光元件所出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、所述第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。