半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种环绕栅极晶体管的制造方法，用以获得源极、漏极、栅极的低电阻化的构造、及所希望的栅极长度、源极、漏极形状与柱状半导体的直径。该半导体器件的制造方法，包含：形成柱状第1导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层的下部形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层的周围形成栅极绝缘膜与栅极电极的步骤；在栅极上部且在柱状第1导电型半导体层的上部的侧壁形成绝缘膜的步骤；在栅极侧壁形成绝缘膜的步骤；在柱状第1导电型半导体层的上部形成第2导电型半导体层的步骤；及在形成于柱状第1导电型半导体层的上部与下部的第2导电型半导体层与栅极，形成金属与半导体的化合物的步骤。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在衬底上形成平面状半导体层，然后在平面状半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层，形成第2导电型半导体层的步骤；在柱状第1导电型半导体层周围形成栅极绝缘膜及栅极电极的步骤；在柱状第1导电型半导体层的上部的侧壁将绝缘膜形成为侧壁状且与栅极电极的上部接触的步骤；在栅极电极侧壁将绝缘膜形成为侧壁状的步骤；在柱状第1导电型半导体层上部形成第2导电型半导体层的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层，形成金属与半导体的化合物的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层，形成金属与半导体的化合物的步骤；在栅极电极形成金属与半导体的化合物的步骤；在形成于柱状第1导电型半导体层下部的平面状半导体层的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；及在形成于柱状第1导电型半导体层上部的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。