布线结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种布线结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，在其上形成第一介质层；在第一介质层上形成接触孔；沉积第一金属层，覆盖接触孔的底部和侧壁并覆盖第一介质层的上表面；对第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，以在其上形成碗口状的第一开口；沉积第二介质层，覆盖第一开口的底部和侧壁并覆盖第一金属层的上表面；对第二介质层进行刻蚀，形成倒梯形通孔；沉积第二金属层，覆盖通孔的底部和侧壁并覆盖第二介质层的上表面；对第二金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，形成碗口状的第二开口。本发明能在不采用SOG平坦化、带胶回刻SOG平坦化等的前提下，满足临近1.5μm及其以下工艺平台对平坦化的需求。

主权项

一种布线结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成接触孔；沉积第一金属层，所述第一金属层覆盖所述接触孔的底部和侧壁，并覆盖所述第一介质层的上表面；对所述第一金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，形成所述第一开口，其中湿法刻蚀所腐蚀的第一金属层厚度占所述第一金属层总厚度的25％至40％，所述第一金属层剩余厚度由干法刻蚀刻净，以在其上形成碗口状的第一开口；沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一开口的底部和侧壁，并覆盖所述第一金属层的上表面；对所述第二介质层进行刻蚀，方法为对所述第二介质层进行光刻，形成图形，带胶高温烘烤后，然后再进行湿法刻蚀，在所述第二介质层上形成倒梯形通孔；沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述通孔的底部和侧壁，并覆盖所述第二介质层的上表面；对所述第二金属层进行刻蚀湿法刻蚀、然后再进行干法刻蚀，形成所述第一开口，其中湿法刻蚀所腐蚀的第一金属层厚度占所述第一金属层总厚度的20％至35％，所述第二金属层剩余厚度由干法刻蚀刻净，以在其上形成碗口状的第二开口。