| 发明名称 | 功率金属氧化物半导体器件形成方法 | ||
| 摘要 | 一种功率金属氧化物半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有漏区、体区、源区，以及贯穿所述源区和体区，并且部分位于漏区的栅极；形成暴露所述体区的通孔；沿所述通孔对所述体区进行倾斜掺杂，所述倾斜掺杂的类型与体区的掺杂类型相同。通过本发明可以避免导电插塞被击穿。 | ||
| 申请公布号 | CN102354667A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110300729.7 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 陈韬;苟鸿雁 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种功率金属氧化物半导体器件形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有漏区、体区、源区，以及贯穿所述源区和体区，并且部分位于漏区的栅极；形成暴露所述体区的通孔；其特征在于，还包括：沿所述通孔对所述体区进行倾斜掺杂，所述倾斜掺杂的类型与体区的掺杂类型相同。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||