| 主权项 |
1.一种绝缘覆矽之金氧半场效电晶体元件,包含: 一植入背闸区域,位于一氧化层上方,其中该植入 背闸区域的一表面部分包含一背闸氧化层形成于 其上; 一本体区域,位于该背闸氧化层上方; 一闸极介电层,位于该本体区域的一表面部分上方 ;及 一多晶矽闸极,位于该闸极介电层之一部分的上方 。 2.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,进一步包含背闸-浅沟渠隔离区 域,位于该本体区域之部分下方。 3.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,其中该本体区域进一步包含复数 个源极/汲极区域与复数个源极/汲极延伸区域。 4.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,其中该多晶矽闸极进一步包含复 数个间隙壁于该多晶矽闸极的复数个侧壁上。 5.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,进一步包含一凸起的源极/汲极 区域,位于该本体区域之一部分的上方。 6.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,进一步包含复数个金属矽化物区 域,位于该本体区域之一部分的上方与该多晶矽闸 极的上方。 7.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,进一步包含一介电材料包覆该多 晶矽闸极。 8.如申请专利范围第7项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,其中该介电材料包含传导性填充 的接触洞。 9.如申请专利范围第1项所述之绝缘覆矽之金氧半 场效电晶体元件,其中该植入背闸区域做为该多晶 矽闸极的一临界控制系统。 10.一种制作绝缘覆矽之金氧半场效电晶体元件的 方法,包含下列步骤: 提供一结构,该结构包含至少一背闸氧化层位于一 含矽层上方,该含矽层系为一绝缘覆矽晶圆的一部 件; 于该背闸氧化层上方,形成背闸-浅沟渠隔离以及 第一多晶矽层的复数个交替区域; 形成一第二多晶矽层于该背闸-浅沟槽隔离以及该 第一多晶矽的该复数个交替区域上方; 植入一背闸区域于该些多晶矽层中; 形成一氧化层于该第二多晶矽层上; 结合一握持基材晶圆至该氧化层,以及翻转该结合 的结构以暴露该绝缘覆矽晶圆的数层; 移除该绝缘覆矽晶圆的选择层,且停止在该含矽层 ; 转变该含矽层之一部分成一本体区域;及 形成一闸极介电层与一多晶矽闸极于该本体区域 上方。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,进一步包含 形成凸出的源极/汲极区域于该本体区域上方,该 凸出的源极/汲极区域与该多晶矽闸极相邻。 12.如申请专利范围第11项所述之方法,进一步包含 转变该凸出的源极/汲极区域成复数个金属矽化物 区域。 13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该结合 步骤系于一约900℃至约1100℃的温度下,进行约1.5 小时至约2.5小时的一时期。 14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该结合 步骤系于一约18℃至约27℃的温度与一钝气环境下 进行。 15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该本体 区域系利用一遮罩离子植入制程所形成。 16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该交替 的多晶矽区域具有复数个底切侧壁。 17.如申请专利范围第10项所述之方法,进一步以一 介电材料包覆该多晶矽闸极,该介电材料具有复数 个传导性填入的接触洞邻接该多晶矽闸极。 图式简单说明: 第1至17图为剖面示意图,说明根据本发明制造一包 含一可控制前闸临界电压的一多晶矽背闸之绝缘 覆矽之金氧半场效电晶体元件的基本过程步骤。 |
