| 主权项 |
1.一种高压元件结构,该高压元件系设于一具有主 动区域与隔离区域之半导体基底中且位于该主动 区域内,该高压元件结构包含有: 一第一导电型之第一离子布植区及一第一导电型 之第二离子布植区设于该基底之主动区域中; 一源极扩散区及一汲极扩散区分别设于该第一离 子布植区与该第二离子布植区中; 一通道扩散区,设于该基底中之该第一离子布植区 与该第二离子布植区之间,并连接该两离子布植区 ; 一导体闸极,设于该源极扩散区与该汲极扩散区之 间并位于该通道扩散区上方,且该导体闸极较该源 极扩散区及该汲极扩散区长,以于其两侧分别形成 二突出区域; 一第二导电型之隔离离子布植区,设于该隔离区域 中;以及 一第二导电型之延长离子布植区,设于该导体闸极 之突出区域下方。 2.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该延长离子布植区与该通道扩散区分离。 3.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该延长离子布植区与该通道扩散区接触。 4.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该延长离子布植区覆盖部分之该通道扩散区。 5.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该隔离区域系位于该主动区域之外围,且环绕该主 动区域。 6.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该高压元件系为一高压金氧半导体元件。 7.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该第一导电型系具有N型掺杂者,该第二导电型系 具有P型掺杂者。 8.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该第一导电型系具有P型掺杂者,该第二导电型系 具有N型掺杂者。 9.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中 该高压元件结构另包含至少一接触插塞位于该源 极扩散区上方,以及至少一接触插塞位于该汲极扩 散区上方。 10.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其 中该高压元件结构另包含至少一接触插塞位于该 隔离离子布植区上方。 11.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其 中该隔离离子布植区系为一防护圈(guard ring)。 图式简单说明: 第1图为一习知高压N型金氧半导体结构之上视图 。 第2图为根据本发明之一具体实施例的高压元件结 构之上视图。 第3图为根据本发明之一具体实施例的双扩散汲极 高压元件结构之上视图。 |
