| 主权项 |
1.一种微影投影装置,其包括: -一辐射系统,其用于提供一辐射之投影射束; -一支撑结构,其用于支撑图案化构件,该图案化构 件用于根据一期望之图案对该投影射束进行图案 化; -一基片工作台,其用于保持一基片; -一投影系统,其用于将图案化的射束投影至该基 片之一目标部分上;以及 -一定位系统,其用于定位一物件,该物件至少为该 支撑结构及该基片工作台其中之一,该定位系统依 序具有一长冲程模组和一短冲程模组以及一控制 系统,该控制系统用于控制该长冲程和短冲程模组 以按期望之速度沿一期望之线路移动已被定位之 物件;其特征在于: 该控制系统用于控制该长和短冲程模组,以藉由控 制该短冲程模组来给该物件应用一期望之加速度 、给该物件应用该期望之加速度、以及控制该长 冲程模组来给该物件应用一较小之加速度。 2.根据申请专利范围第1项之装置,其中该控制系统 用于控制该物件以在一扫描曝光期间以一大体上 不变之扫描速度移动。 3.根据申请专利范围第2项之装置,其中该控制系统 用于控制该短冲程模组,藉此在该扫描曝光开始时 或者稍早于该扫描曝光开始前不久该物件达到该 不变之扫描速度,以及用于控制该长冲程模组,藉 此其被驱动端在该物件已达到该扫描速度后达到 该扫描速度。 4.根据申请专利范围第2或3项之装置,其中该控制 系统用于控制该长和短冲程模组,藉此该物件在一 第一位置开始一曝光周期,在该第一位置其在一平 行于该扫描速度方向上具有一零速度,且该短冲程 模组位于与该扫描速度相反之方向上其移动范围 之最远端上或者在其最远端附近。 5.根据申请专利范围第4项之装置,其中该控制系统 用于控制该长及短冲程模组,藉此当该长冲程模组 达到该扫描速度时,该短冲程模组达到该扫描速度 之方向上其移动范围之最远端的一位置或者在其 最远端附近的一位置。 6.根据申请专利范围第2或3项之装置,其中该控制 系统用于控制该长冲程模组以在该被扫描物件开 始减速结束之前开始减速。 7.根据申请专利范围第2或3项之装置,其中该控制 系统用于控制该长及短冲程模组,藉此该物件在一 第二位置结束一曝光周期,在该第二位置其在平行 于该扫描速度之方向上具有一零速度,且该短冲程 模组位于该扫描速度方向上其移动范围之最远端 上或者在其最远端附近。 8.一种半导体元件制造方法,其包括此等步骤: -提供一基片,该基片至少由一层辐射敏感材料部 分覆盖; -采用一辐射系统来提供一辐射投影射束; -采用图案化构件来在投影射束之横截面上赋予投 影射束一图案; -将图案化之辐射射束投射到一辐射敏感材料层之 目标部分上;以及 -用一定位系统定位至少该基片及该图案化构件之 一,该定位系统依序包括一长冲程和一短冲程模组 ;其特征在于: -当加速该基片或该图案化构件时,该短冲程模组 以一比该长冲程模组驱动该短冲程模组更大之加 速度来驱动该基片或图案化构件。 9.一种电脑可读取记录媒体,实施有一电脑程式于 其上,其包括代码构件,当在一控制一微影投影装 置之电脑系统上执行时,该电脑程式指示该电脑系 统实现申请专利范围第8项之方法。 图式简单说明: 图1描述一根据本发明一实施例之微影投影装置; 图2系在一扫描曝光期间本发明一实施例之长冲程 模组和短冲程模组之速度对时间图表; 图3A至E图解表示了在一扫描曝光期间该长冲程模 组和短冲程模组之相对位置;以及 图4和5系在本发明之两个实例中该长冲程模组和 短冲程模组之加速度、绝对位置和相对位置之图 表。 |
