具有槽电荷补偿区的半导体器件及方法

摘要

具有槽电荷补偿区的半导体器件和方法。在一个实施例中，半导体器件成形为具有电荷补偿槽，该电荷补偿槽邻近该器件的沟道区。电荷补偿槽包括至少两个相反导电类型的半导体层。沟道连接区将沟道区电连接到至少两个相反导电类型的半导体层中的一个。

主权项

一种半导体器件，其包括：半导体材料区，其具有第一主表面；槽补偿区，其在所述半导体材料区内形成并从所述第一主表面延伸，其中所述槽补偿区包括多个相反导电类型的半导体层；体区，其在所述半导体材料区内形成；源区，其在所述体区内形成且与所述槽补偿区横向分隔开；栅结构，其在所述源区和所述槽补偿区之间形成，其中所述栅结构包括导电栅区，所述导电栅区设置为使得当所述器件在工作的时候在所述体区内建立沟道区；以及沟道连接区，其在所述槽补偿区的上部部分形成，所述沟道连接区设置为使得当所述器件在工作的时候将所述沟道区电连接到所述槽补偿区。