使用非晶碳制造半导体记忆元件之电容器的方法

摘要

本发明提供一种半导体元件之制造方法。该方法包含在基板上形成层间绝缘层；形成许多贯穿进入层间绝缘层之储存节点接触栓；藉由在层间绝缘层上堆叠第一保护障壁层和牺牲层，形成堆叠结构；对第一保护障壁层和牺牲层执行蚀刻制程，以多少具有打开储存节点接触栓的上部分之沟渠；在沟渠内部形成许多具有柱状型之储存节点；形成第二保护障壁层，以填充具有柱状型之储存节点的内部；经由执行湿式浸泡取出制程，移除牺牲层；移除第一保护障壁层和第二保护障壁层；及接着在储存节点上，形成介电质层和金属板节点。