| 发明名称 | 包括功率二极管的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种在半导体本体中制造集成了功率二极管的集成电路的方法和一种半导体集成电路。该方法包括：在半导体衬底的表面层中形成器件区，其中，器件区由硅壁以及与半导体衬底相邻的衬底层来限定，衬底层具有与表面层的导电类型不同的导电类型；围绕器件区形成电介质材料；形成与器件区绝缘的集成电路区；在集成电路区中制造集成电路，其中，集成电路包括晶体管；在器件区中制造多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件；在器件区中形成与该多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件接触的第一二极管电极；以及形成从器件区的表面到与衬底层相同导电类型的半导体材料的导电通孔，作为第二二极管电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102354685A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110306850.0 | 申请日期 | 2006.01.12 |
| 申请人 | 迪奥代斯有限公司 | 发明人 | 保罗·常;基恩-川·车尔恩;普罗扬·高希;韦恩·Y·W·赫;弗拉基米尔·罗多夫 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 康建峰;李春晖 |
| 主权项 | 一种在半导体本体中制造集成了功率二极管的集成电路的方法，包括如下步骤：在半导体衬底的表面层中形成器件区，其中，所述器件区由硅壁以及与所述半导体衬底相邻的衬底层来限定，所述衬底层具有与所述表面层的导电类型不同的导电类型；围绕所述器件区形成电介质材料；形成与所述器件区绝缘的集成电路区；在所述集成电路区中制造集成电路，其中，所述集成电路包括晶体管；在所述器件区中制造多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件；在所述器件区中形成与所述多个MOS源/漏元件和相关联的栅元件接触的第一二极管电极；以及形成从所述器件区的表面到与所述衬底层相同导电类型的半导体材料的导电通孔，作为第二二极管电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||