| 发明名称 | 具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构顶部的悬空层区域为沟道区，所述凸起结构两侧的悬空层区域分别为导电类型相反的源区和漏区；和形成在所述沟道区顶部的栅堆叠。根据本发明实施例的隧穿场效应晶体管，通过采用悬空的源漏结构可以有效地减小晶体管的源漏电容，提高器件的工作速度，并减少源漏和衬底之间的关态漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN102354708A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110338222.0 | 申请日期 | 2011.10.31 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 崔宁;梁仁荣;王敬;许军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙，所述间隙小于30nm；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构顶部的悬空层区域为沟道区，所述凸起结构两侧的悬空层区域分别为导电类型相反的源区和漏区；和形成在所述沟道区顶部的栅堆叠。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084-82信箱 | ||