发明名称 |
Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 |
摘要 |
一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物;步骤2:将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物;步骤3:将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物;步骤4:将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前驱体粉末;步骤5:将前驱体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 |
申请公布号 |
CN102351236A |
申请公布日期 |
2012.02.15 |
申请号 |
CN201110185833.6 |
申请日期 |
2011.07.01 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
赵婧;刘喆;王军喜;李晋闽 |
分类号 |
C01G3/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01F1/40(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I |
主分类号 |
C01G3/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将CuSO4和FeSO4分别按比例混合后,再与过量的NaOH充分混合,形成混合物;步骤2:将混合物在玛瑙研钵中进行研磨,使混合物充分接触并发生化学反应,不断研磨直至反应体系的颜色完全转变为黑色,固相反应不再进行,形成反应产物;步骤3:将得到的反应产物用去离子水多次清洗,过滤出不溶于水的反应产物;步骤4:将过滤出的不溶于水的反应产物在干燥箱中烘干后研磨,得到前躯体粉末;步骤5:将前躯体粉末置于石英舟中,放入管式反应炉的中部,在Ar气氛下退火,得到黑色的纳米粉末,完成Fe掺杂CuO纳米稀磁半导体材料的制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |