发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明系提供一种内建行使短波长受发光元件,以进行与外部之光信号输出入的半导体装置,及其制造方法者。系具有:由底部(12A)及侧部(12B)所成,在上部具有开口部的匣体收容半导体装置(13)。而引线(11)系埋设于底部(12A),且将一端配置于半导体元件(13)附近,由金属细线(14)将半导体装置(13)及引线(11)予以连接。而该匣体(12)开口部系由半导体元件(13)对受发光的光线为透明的材料所构成之盖部(15)所覆盖者。
申请公布号 TWI269612 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW093124626 申请日期 2004.08.17
申请人 三洋电机股份有限公司;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 井野口浩
分类号 H05K1/00(2006.01) 主分类号 H05K1/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种半导体装置,系具备:由底部及侧部所构成而于上部具开口部之匣体;固定于上述底部表面且于该表面设有受光部或发光部之半导体元件;埋设于上述底部而配置成使一端接近于上述半导体元件的引线;连接上述半导体元件及上述引线的金属细线,以及由对上述受光部受光之光线,或上述发光部发光的光线具有透明性之材料所构成且闭塞上述开口部的盖部者。2.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,系藉由上述底部之背面露出一部分的上述引线而形成外部电极者。3.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,系于上述底部表面设有凹部,且藉由涂抹于上述凹部之黏接剂,将上述半导体元件固定于上述底部者。4.如申请专利范围第1项的半导体装置,其中,上述盖部系由玻璃所构成者。5.一种半导体装置之制造方法,系具备:形成由具有突出于下方凸部之复数个引线所构成之单元的制程;形成将上述引线的部分表面露出,而将上述引线予以埋设而成之树脂底部,同时,形成由上述底部连续侧部以形成上述各单元具有开口部之匣体之成型制程;固定半导体元件于上述底部之制程;将上述引线之凸部附近表面与上述半导体元件,以金属细线予以连接之制程;以具透明性材料所构成之盖部闭塞上述开口部之制程,以及,裁断上述引线及上述侧部,而将上述各单元予以分割之制程。6.如申请专利范围第5项的半导体装置之制造方法,其中,由形成为矩阵状的复个上述单元所构成之块体,系形成于导电箔者。7.如申请专利范围第5项的半导体装置之制造方法,其中,上述凸部系由形成于设在上述引线端部附近的第1凸部,及设于上述单元周边部附近引线的第2凸部而构成者。图式简单说明:第1图(A)系表示本发明半导体装置之平面图。第1图(B)系表示本发明半导体装置之背面图。第1图(C)系表示本发明半导体装置之剖面图。第2图(A)系表示本发明半导体装置之剖面图。第2图(B)系表示本发明半导体装置之剖面图。第3图(A)系本发明半导体装置之制造方法平面图。第3图(B)系本发明半导体装置之制造方法平面图。第3图(C)系本发明半导体装置之制造方法剖面图。第4图(A)系本发明半导体装置制造方法之平面图。第4图(B)系本发明半导体装置制造方法之剖面图。第5图(A)系本发明半导体装置制造方法之平面图。第5图(B)系本发明半导体装置制造方法之剖面图。第6图(A)系习用半导体装置之平面图。第6图(B)系习用半导体装置之剖面图。
地址 日本