| 发明名称 | 场氧化物湿法刻蚀方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种场氧化物湿法刻蚀方法。根据本发明的场氧化物湿法刻蚀方法包括：氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；以及光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。通过在场氧化物刻蚀步骤之前进行了一个用于利用紫外线对光刻胶进行固化的紫外线固化步骤，可有效地调整场氧化物角度，使之满足要求范围，例如5-10度的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102354680A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110342073.5 | 申请日期 | 2011.11.02 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 胡学清;龙涛 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种场氧化物湿法刻蚀方法，其特征在于包括：氧化步骤，用于氧化以形成场氧化物；紫外线固化步骤，用于利用紫外线对光刻胶进行固化；场氧化物刻蚀步骤，用于对场氧化物进行刻蚀；光刻胶去除步骤，用于去除光刻胶。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||