| 发明名称 | 一种用于原子层沉积设备的进气方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法为：装有不同前驱体的各个源瓶之间的气路为并行的。本发明在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量，能够实现较多种前躯体源的活化并达到在衬底上进行吸附的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102352491A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201110339683.X | 申请日期 | 2011.11.01 |
| 申请人 | 嘉兴科民电子设备技术有限公司 | 发明人 | 饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种用于原子层沉积设备的进气方法，其特征在于，所述进气方法为：装有不同前驱体的各个源瓶之间的气路为并行的。 | ||
| 地址 | 314006 浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号JRC大楼A座213房间 | ||