发明名称 | 发光元件及照明装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种提高光取出效率且可抑制整个光取出面的发光强度分布不均匀的发光元件。发光元件具备:半导体层叠体,其具有n型半导体层和发光层及p型半导体层;电极焊盘,其与p型半导体层连接。半导体层叠体在其主面中的、在来自发光层的光被射出的主面具有多个突起。而且,半导体层叠体的所述主面具有位于电极焊盘附近的第一区域、和比第一区域更远离电极焊盘的第二区域,突起间隔在第二区域比在第一区域小。 | ||
申请公布号 | CN101816077B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
申请号 | CN200880109928.6 | 申请日期 | 2008.11.28 |
申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 川口义之;西园和博 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 朱丹 |
主权项 | 一种发光元件,具有:半导体层叠体,其层叠有n型半导体层和发光层及p型半导体层,在来自所述发光层的光被射出的主面具有多个突起;第一导电层,其与所述n型半导体层连接;第二导电层,其与所述p型半导体层连接;电极焊盘,其设置于所述第二导电层上,将外部和所述p型半导体层连接,其中,所述半导体层叠体的所述主面具有:位于所述电极焊盘附近的第一区域、和比所述第一区域更远离所述电极焊盘且以在与电极焊盘之间夹着所述第一区域的方式所设置的第二区域,所述突起的间隔在所述第二区域比在所述第一区域小。 | ||
地址 | 日本京都府 |