一种倒装结构的LED芯片制作方法

摘要

本发明涉及一种倒装结构的LED芯片制作方法，包括N型电极形成区和P型电极形成区，N型电极形成区包括衬底、缓冲层、N型层、N型分别限制层、有源区层、P型分别限制层、P型层、P型欧姆接触层、光反射层以及绝缘薄膜，N型电极的一端面穿过绝缘薄膜与光反射层连接，N型电极的另一端面通过PCB板与散热板连接；P型电极形成区包括衬底、缓冲层、N型层以及绝缘薄膜，P型电极的一端穿过绝缘薄膜与N型层连接，P型电极的另一端通过PCB板与散热板连接；N型电极和P型电极分别与PCB板连接的两端面位于同一水平面。本发明由于把LED芯片的N型电极和P型电极制作在同一表面上，增加了芯片倒装工艺的封装良率，避免了电极虚焊或脱焊的情形发生。

主权项

一种倒装结构的LED芯片制作方法，包括N型电极形成区和P型电极形成区，N型电极形成区和P型电极形成区分别位于LED芯片两侧，其特征在于：N型电极形成区从上至下依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、有源区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光反射层(9)以及绝缘薄膜(10)，N型电极(11)的一端面穿过所述绝缘薄膜(10)与所述光反射层(9)连接，N型电极(11)的另一端面通过PCB板(27)与散热板(28)连接；所述P型电极形成区从上至下依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)以及绝缘薄膜(10)，P型电极(12)的一端穿过所述绝缘薄膜(10)与所述N型层(3)连接，P型电极(12)的另一端通过PCB板(27)与散热板(28)连接；N型电极(11)和P型电极(12)分别与PCB板(27)连接的两端面位于同一水平面。