| 发明名称 | STI隔离结构的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种STI隔离结构的制备方法，在浅沟槽填充完成和硬掩膜去除之后，还包括如下步骤：在垫层氧化层表面淀积一层磷，淀积的同时磷在垫层氧化层表面扩散形成磷硅玻璃；湿法腐蚀掉所述磷硅玻璃。本发明的制备方法利用了磷的掺杂分布决定了各个区域的腐蚀速率，最终将STI结构的边角作圆化处理，适用于集成电路制造中。 | ||
| 申请公布号 | CN101452871B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN200710094312.3 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙;龚新军 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种STI隔离结构的制备方法，包括步骤：(1)用氧化硅填充浅沟槽；(2)去除硬掩膜；该步骤(2)完成后得到的STI隔离结构具有边角，且相对垫层氧化层具有台阶；其特征在于，步骤(2)之后，还包括如下步骤：(3)在垫层氧化层表面淀积一层磷，淀积的同时磷在垫层氧化层表面扩散形成磷硅玻璃；(4)湿法腐蚀掉所述磷硅玻璃。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||