一种倒装半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种倒装半导体发光器件及其制造方法，它包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，特征是：所述的支撑基板是由玻璃或氧化硅材料制成的。在所述的支撑基板和半导体发光叠层之间设有一层粘接层。本发明的半导体发光器件由于采用有利于出光的倒装结构，从而可以提高芯片的取光效率和可靠性，并具有散热性能好的特点。本发明的半导体发光器件的制造方法能使制造成本大幅下降，从而使得半导体发光器件的成本较低，克服了市场上现有的倒装芯片的制造成本较高的缺点。

主权项

一种倒装半导体发光器件，包括：具有第一表面和第二表面的半导体发光叠层，半导体发光叠层朝下的表面为第一表面且为P型导电层，且部分区域的P型导电层被去除并在第一表面上形成一个或多个凹坑，凹坑的底部为N型导电层，在P型导电层上形成P型欧姆电极，在凹坑中的N型导电层上形成N型欧姆电极，且P型欧姆电极和N型欧姆电极之间设有一层或多层绝缘材料层，该绝缘材料层能使电流不能直接在P型欧姆电极和N型欧姆电极之间导通，而只能通过半导体发光叠层导通，即在半导体发光叠层的第一表面上形成P型欧姆电极和N型欧姆电极，在半导体发光叠层朝上的第二表面形成一层支撑基板，其特征在于：所述的支撑基板是由玻璃或氧化硅材料制成的。