| 发明名称 |
SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20120014017(A) |
申请公布日期 |
2012.02.15 |
| 申请号 |
KR20117028635 |
申请日期 |
2010.04.27 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
发明人 |
NISHIGUCHI TARO;SASAKI MAKOTO;HARADA SHIN;FUJIWARA SHINSUKE;NAMIKAWA YASUO |
| 分类号 |
H01L21/02;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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