| 主权项 |
1.一种主动式矩阵液晶面板,其具有复数个像素,其 中每一个像素包含有: 一资料线及一与该资料线交叉之扫描线; 一切换元件,系设于该资料线及该扫描线之交叉处 ; 一梳形之像素电极,连接至该切换元件; 一共同线,其具有一横杠部分以及自该横杠延伸之 一封闭环路,其中该封闭环路包含有一独立之第一 端部以及与该横杠部分连接之一第二端部;及 一梳形之共同电极,其纵向分支系覆盖于该资料线 以及该封闭环路上方; 其中该共同电极包含有一第一开口以及第二开口, 以分别暴露该封闭环路之该第一端部、该第二端 部以及相对位置之部分资料线。 2.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该资料线系平行地设置于该封闭环路上方,并且 通过该封闭环路之中间空隙部分。 3.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该资料线系藉由雷射修补装置穿过该第一开口 及穿过该第二开口而电性连接至该封闭环路之该 第一端部以及该第二端部。 4.如申请专利范围第3项之主动式矩阵液晶面板,其 中该封闭环路系藉由雷射修补装置切断其第二端 部与该横杠部分之连接。 5.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该共同电极及该像素电极各具有一梳齿状部分, 该两梳齿状部分系朝向二相反方向而相互交替配 置。 6.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该共同线之横杠部分系平行于该扫描线。 7.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该共同电极另包含一横向基部,并且覆盖于该扫 描线上方。 8.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该扫描线以及该共同线系共同利用第一金属层 制程同时形成。 9.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板,其 中该资料线系利用第二金属层制程所形成。 10.如申请专利范围第1项之主动式矩阵液晶面板, 其中该共同电极以及该像素电极系利用一铟锡氧 化物(ITO)制程同时形成。 11.一种主动式矩阵液晶面板之修补方法,该基板表 面形成有复数个像素,其中每个像素包含有一资料 线;一共同线,其具有一横杠部分以及自该横杠延 伸之一封闭环路,其中该封闭环路包含有一独立之 第一端部以及与该横杠部分连接之一第二端部;以 及一梳形之共同电极,其纵向分支系覆盖于该资料 线以及该封闭环路上方,其中该共同电极包含有一 第一开口以及第二开口,以分别暴露该封闭环路之 该第一端部、该第二端部以及相对位置之部分资 料线;该修补方法包含下列步骤: 提供一雷射修补装置穿过该第一开口,以使得该资 料线与该封闭环路之第一端部电性连接; 提供该雷射修补装置穿过该第二开口,以使得该资 料线与该封闭环路之第二端部电性连接;以及 提供该雷射修补装置切断该封闭环路之第二端部 与该横杠部分之连接。 12.如申请专利范围第11项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该资料线系平行地设置于该封闭 环路上方,并且通过该封闭环路之中间空隙部分。 13.如申请专利范围第11项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该共同电极及该像素之像素电极 各具有一梳齿状部分,该两梳齿状部分系朝向二相 反方向而相互交替配置。 14.如申请专利范围第11项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该共同线之横杠部分系平行于该 像素之扫描线。 15.如申请专利范围第14项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该共同电极另包含一横向基部, 并且覆盖于该扫描线上方。 16.如申请专利范围第14项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该扫描线以及该共同线系共同利 用第一金属层制程同时形成。 17.如申请专利范围第11项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该资料线系利用第二金属层制程 所形成。 18.如申请专利范围第13项之主动式矩阵液晶面板 之修补方法,其中该共同电极以及该像素电极系利 用一铟锡氧化物(ITO)制程同时形成。 图式简单说明: 图1系一习知主动式矩阵基板之像素之结构图; 图2系图1沿1-1剖面线之剖面结构图; 图3系本发明之主动式矩阵基板之像素之结构示意 图; 图4(a)系本发明之共同线及扫描线所在层之结构图 ; 图4(b)系本发明之共同电极及像素电极所在层之结 构图; 图5系表示与图3中像素邻近之资料线有断裂情形 之示意图; 图6系表示切开之封闭环路藉由焊接替代该断裂资 料之示意图; 图7(a)系图5中断裂之资料线修复后之A部分的放大 示意图; 图7(b)系图5中断裂之资料线修复后之B部分的放大 示意图;以及 图8系本发明之液晶面板之结构示意图。 |
