一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

主权项

一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其特征在于：该压电陶瓷包含钙钛矿型压电体（K0.5‑xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电/铁磁体Bi(FetMn1‑t)O3，组成通式为（1‑y‑z）（K0.5‑xNa0.5+x）NbO3‑y LiSbO3‑z Bi(FetMn1‑t)O3，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1, 0＜t＜1。