一种T型栅HEMT器件及其制作方法

摘要

本发明公开一种T型栅的HEMT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括：本体层、外延层、源极、漏极和钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。T型栅靠近源极的一侧在物理距离上更靠近沟道电子，增强了T型栅对沟道电子的控制能力，并且削弱了T型靠近漏极一侧的栅脚电场，使得器件的击穿电压升高。

主权项

一种T型栅HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括：本体层，设置在所述本体层表面上的缓冲层，设置在缓冲层表面上的外延层，设置在所述外延层表面上的源极、漏极以及源极与漏极之间的钝化层；在所述钝化层表面内形成楔形栅脚图形，所述楔形栅脚图形靠近源极的一侧深入所述钝化层的深度大于靠近漏极一侧深入所述钝化层的深度；在具有楔形栅脚图形的钝化层表面上形成双层光刻胶层，在所述双层光刻胶层表面内形成T型栅图形，所述T型栅图形的栅脚图形的底部与所述楔形栅脚图形的上部重合，其中，所述双层光刻胶中表层光刻胶和底层光刻胶分别适用于不同的显影液；以具有T型栅图形的双层光刻胶层为掩膜，形成T型栅，所述T型栅的栅脚部分穿过所述钝化层深入到所述外延层表面内，且所述T型栅的栅脚底部呈楔形，该楔形的楔角位于所述T型栅靠近源极的一侧的栅脚底部。