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发明名称
METHOD FOR INTEGRATING METALS HAVING DIFFERENT WORK FUNCTIONS TO FORM CMOS GATES HAVING A HIGH-K DIELECTRIC AND RELATED STRUCTURE
摘要
申请公布号
KR101110288(B1)
申请公布日期
2012.02.15
申请号
KR20067004383
申请日期
2004.08.31
申请人
发明人
分类号
H01L21/336;H01L21/00;H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/49;H01L29/51
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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