提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法

摘要

本发明公开了一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，包括如下步骤：步骤1，设计Si/Ge发射极窗口版图；步骤1具体包括：(1)将一矩形图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分；(2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距；(3)将两端部分切分为数个有一定间距的小孔的结构；(4)最后对中间部分进行处理，可以拆分为数个有一定间距的图形的组，或保持一整个矩形结构不做拆分；步骤2，采用步骤1设计的Si/Ge发射极窗口版图进行光学临近修正，利用所述版图的小孔过曝光时会产生旁瓣的原理，使之最终形成近似于方形的图形。

主权项

一种提高Si/Ge发射极窗口图形保真度的方法，其特征是，包括如下步骤：步骤1，设计Si/Ge发射极窗口版图；步骤1具体包括：(1)将一矩形图形沿中心对称在长轴方向将图形切为三部分，其中两端部分相同大小，其余为中间部分；(2)将切分出来的两端部分与中间部分设置一个合理的间距；(3)将两端部分切分为数个有一定间距的小孔的结构；(4)最后对中间部分进行处理，可以拆分为两个有一定间距的矩形结构，或拆分为数个有一定间距的小孔的组合，或保持一整个矩形结构不做拆分；步骤2，采用步骤1设计的Si/Ge发射极窗口版图进行光学临近修正，利用所述版图的小孔过曝光时会产生旁瓣的原理，使之最终形成近似于方形的图形。