| 发明名称 | 钽溅射靶 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的铌作为必要成分，并且除铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。本发明的目的在于得到具有均匀微细的组织，等离子体稳定，膜的均匀性优良的高纯度钽溅射靶。 | ||
| 申请公布号 | CN102356179A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201080012120.3 | 申请日期 | 2010.04.23 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 福岛笃志;小田国博 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C27/02(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种钽溅射靶，其特征在于，含有1质量ppm以上且100质量ppm以下的铌作为必要成分，并且除铌和气体成分以外的纯度为99.998％以上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||