| 发明名称 | 基板处理方法和基板处理装置 | ||
| 摘要 | 在使用有机酸含有气体除去在基板上的Cu配线结构中的Cu表面的氧化铜膜和层间绝缘膜附着的Cu含有物残渣时，进行一边加热基板以使基板温度变为相对低温的第一温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，以进行Cu含有物残渣的蚀刻除去的工序；和一边加热基板以使基板温度变为比上述第一温度更高温的第二温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，通过以还原为主体的反应来除去上述Cu表面的氧化铜膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102356453A | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN201080012807.7 | 申请日期 | 2010.02.04 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 三好秀典 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，其使用有机酸含有气体除去在基板上的Cu配线结构中的Cu表面的氧化铜膜和层间绝缘膜附着的Cu含有物残渣，所述基板处理方法的特征在于，包括：一边加热基板以使基板温度变为相对低温的第一温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，来进行Cu含有物残渣的蚀刻除去的工序；和一边加热基板以使基板温度变为比所述第一温度更高温的第二温度，一边向基板供给含有有机酸气体的处理气体，通过以还原为主体的反应来除去所述Cu表面的氧化铜膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||