发明名称 |
基于变压器的互补金属氧化物半导体(CMOS)振荡器 |
摘要 |
本发明涉及用于提供能够以低电压电源操作的基于变压器的CMOS振荡器的技术。在示范性实施例中,在晶体管对的漏极处提供LC槽,且所述LC槽的电感相互磁性耦合到所述晶体管对的栅极之间的电感。还使单独互补晶体管对耦合到所述LC槽。另一示范性实施例提供LC槽,其处于晶体管对的栅极处,且用于槽电感、所述晶体管对的所述栅极之间的电感及互补晶体管对的栅极之间的电感当中的三路耦合。 |
申请公布号 |
CN102356551A |
申请公布日期 |
2012.02.15 |
申请号 |
CN201080012445.1 |
申请日期 |
2010.03.18 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
马兹哈尔埃丁·塔吉万达 |
分类号 |
H03L7/099(2006.01)I;H03B5/12(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/099(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种设备,其用于在输出节点对处产生具有受控振荡频率的信号,所述设备包含:第一晶体管及第二晶体管,所述第一晶体管及所述第二晶体管的漏极耦合到所述输出节点对;第一电感器,其耦合到所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极;第二电感器,其耦合到所述输出节点对,所述第二电感器磁性耦合到所述第一电感器;具有可选择式电容的电容器,其耦合到所述输出节点对;及DC交叉耦合互补晶体管对,其耦合到所述输出节点对。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |