一种太阳能电池

摘要

本发明公开了一种太阳能电池，其结构为：衬底层/背电极层/P +层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/N +层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/TCO层。本发明薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理，近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收，因此本发明提供的薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外，加设P +层和N +层，增强了载体在光伏组件中的漂流速度与流通量，提高了薄膜太阳能电池的功率。本发明提供的薄膜太阳能电池所产生的功率较目前同类型双结层结构的薄膜太阳能电池平均高出约1.5%。本发明提供的薄膜太阳能电池还具有可靠性高和制造价格低等优点。

主权项

一种太阳能电池，包括衬底层、设置在衬底层上的背电极层、TCO层和设置在背电极层与TCO层之间的太阳能电池模组，其特征在于：所述太阳能电池模组包括一个铜铟镓硒P‑N结层和一个非晶硅P‑I‑N结层，所述铜铟镓硒P‑N结层的P型铜铟镓硒薄膜层与所述背电极层之间设置有重掺杂的P+层，所述铜铟镓硒P‑N结层的N型铜铟镓硒缓冲层与所述非晶硅P‑I‑N结层的P型非晶硅层之间设置有重掺杂的N+层，所述非晶硅P‑I‑N结层的N型非晶硅层与所述TCO层相邻设置，该太阳能电池的结构为：衬底层/背电极层/P+层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/N+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/TCO层；所述N型铜铟镓硒缓冲层与所述N+层之间设置有n‑ZnO:Al导电层；所述铜铟镓硒P‑N结层中N型铜铟镓硒缓冲层的材料为ZnS、ZnSe或ZnIn2Se3。