| 发明名称 | 光刻胶的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种光刻胶的形成方法，包括：提供形成有底部抗反射层的衬底；去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子；在去除偏碱性的分子的底部抗反射层表面形成光刻胶层。本发明降低形成在光刻层的缺陷，提高了后续形成光刻胶图形的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102012635B | 申请公布日期 | 2012.02.15 |
| 申请号 | CN200910195615.3 | 申请日期 | 2009.09.07 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 周从树;顾以理 |
| 分类号 | G03F7/09(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种光刻胶的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有底部抗反射层的衬底；去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子；去除所述底部抗反射层内的偏碱性分子包括：将所述形成有底部抗反射层的衬底放置于旋胶设备内；旋胶设备初始化；清洗并旋转去偏碱性的分子；甩干；所述清洗并旋转去偏碱性的分子具体工艺参数为：旋转时间为3秒至5秒，旋胶设备旋转速度为每分钟80转至每分钟120转，清洗剂流量为每分钟30毫升至每分钟80毫升；所述清洗剂为去离子水、双氧水、丙二醇单甲醚或者丙二醇单甲醚乙酯；在去除偏碱性的分子的底部抗反射层表面形成光刻胶层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||