| 主权项 |
1.一种氮化物系发光元件表面长晶凸起图型化结 构,包含: 一基板; 一第一型半导体层,系形成于该基板上,其系由氮 化镓(GaN)系化合物材料所构成; 一活性层,系形成于该第一型半导体层上; 一第二型半导体层,系形成于该活性层上,其系由 氮化镓(GaN)系化合物材料所构成;且在此型半导体 层的最顶面再向上长晶设有凸起并具图型化( pattern)之粗糙表面。 2.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第二型半导体 层包括为一p型披覆层,而该凸起并具图型化之粗 糙表面系成长在该p型披覆层之上。 3.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第二型半导体 包括:一形成于该活性层上之p型披覆层,及一形成 于该p型披覆层上之p型接触层,而该凸起并具图型 化之粗糙表面系成长在该p型接触层之上。 4.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第二型半导体 层包括:一形成于该活性层上之p型披覆层,及一形 成于该p型披覆层上之透明导电层,而该凸起并具 图型化之粗糙表面系成长在该透明导电层之上。 5.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第二型半导体 层包括:一形成于该活性层上之p型披覆层;一形成 于该p型披覆层上之p型接触层;以及一形成于该p型 接触层上之透明导电层;而该凸起并具图型化( pattern)之粗糙表面系成长在该透明导电层之上。 6.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第一型半导体 层包括为一n型披覆层,且其设有一n型电极于该n型 披覆层未被该活性层覆盖之上表面。 7.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该第二型半导体 层之最顶面上更包括设有一p型电极。 8.如申请专利范围第1项所述之氮化物系发光元件 表面长晶凸起图型化结构,其中,该基板与该第一 型半导体层之间,更包括设有一缓冲层。 图式简单说明: 第一图系习知一种发光二极体之构造图。 第二图系本创作第一较佳实施例之构造图。 第三图系本创作第二较佳实施例之构造图。 第四图系本创作第三较佳实施例之构造图。 第五图系本创作第四较佳实施例之构造图。 |
