一种温度补偿型片式多层陶瓷电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种片式多层陶瓷电容器的制备方法，主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，在瓷浆制备中，所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料，CaZrO3与SrTiO3的重量比是1：（1.5～3）；所述的排胶最高温度是270～290℃；所述的烧结最高温度是1270～1300℃，烧结保温时间2-3小时，本发明大大降低了生产成本，同时可实现镍贱金属电极的温度补偿型多层化陶瓷电容器的制备。该电容很适合用于汽车电子、照明电子等我国新兴产业领域。

主权项

一种片式多层陶瓷电容器的制备方法，主要由瓷浆制备、流延介质膜片、交替叠印内电极和介质层、层压、切割、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序组成，所述的交替叠印内电极和介质层工序中，内电极材料是镍Ni，所述的封端工序中，端电极材料是铜Cu，其特征在于：在瓷浆制备中，所用的瓷料是CaZrO3和SrTiO3瓷料，CaZrO3与SrTiO3的重量比是1：（1.5～3）；所述的排胶最高温度是270～290℃，排胶时间是57～60小时；所述的烧结最高温度是1270～1300℃，烧结保温时间2 3小时，当烧结时从室温到1000℃升温速率为3 4℃/min，1000℃至最高温的升温速率控制在2 2.5℃/min，降温速率为3 4℃/min，整个烧结过程在含H2的N2气氛保护下进行的，H2体积含量控制在气氛总量的0.5 3%。