| 摘要 |
在此揭露一种形成半导体装置之金属布线的方法。一种形成半导体装置之金属布线的方法包括下列步骤：依序形成一第1反扩散膜、一第2内层绝缘膜、一第3内层绝缘膜及一覆盖膜于一第1内层绝缘膜上，其中在该第1内层绝缘膜中形成有一第1金属布线；图案化该覆盖膜、该第3内层绝缘膜、该第2内层绝缘膜及该第1反扩散膜，以便暴露该第1金属布线，因而形成一介层孔；图案化该覆盖膜及该第3内层绝缘膜，以便暴露该第2内层绝缘膜之一给定表面，其中该介层孔系形成于该第2内层绝缘膜中，因而形成一金属布线沟槽；形成一第2反扩散膜于该介层孔及该金属布线沟槽中；以及依序形成复数个铜种子层(copper seed layers)于该介层孔及该金属布线沟槽中，其中在该介层孔及该金属布线沟槽中形成有该第2反扩散膜，及然后藉由电镀制程形成一铜层，因而形成一介层及一金属布线。 |
