APARATO PARA TRATAMIENTO CON PLASMA Y METODO DE MANUFACTURA DE PELICULA DE GAS SEMICONDUCTORA UTILIZANDO EL MISMO.

摘要

Un aparato de procesamiento con plasma que comprende dentro de una cámara sellable (11): un cuerpo estructural interno (8) que está dispuesto para estar separado de una superficie de pared interna a la cámara (11) y que forma un espacio interno para alojar un sustrato (1) que sirve como objeto de procesamiento; una sección de soporte del sustrato (15) que está adaptada para alojar el sustrato (1) dentro del espacio interno; medios de suministro de gas reactivo (10) para suministrar un gas reactivo al espacio interno; un cátodo (2) y un ánodo (4) que están soportados por el cuerpo estructural interno (8) y dispuestos en ambos lados del sustrato (1) dentro del espacio interno y que están adaptados para generar en uso una descarga de plasma de gas reactivo; y un calentador (24) que está soportado por el cuerpo estructural interno (8) y que está adaptado para calentar el sustrato (1) dentro del espacio interno; caracterizado por una tubería (7) de paso de gas enfriada por aire que está dispuesta para estar en contacto con el calentador (24) y que está adaptada para absorber un calor Joule mediante un gas de enfriamiento, siendo generado el calor Joule en uso por la descarga en plasma entre el cátodo (2) y el ánodo (4).