Kontaktelemente von Halbleiterbauelementen, die auf der Grundlage einer teilweise aufgebrachten Aktivierungsschicht hergestellt sind, und entsprechende Herstellungsverfahren

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Kontaktelements in einem Halbleiterbauelement (200), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer ersten Kontaktöffnung (210a) in einem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210), wobei die erste Kontaktöffnung (210a) eine Verbindung zu einem Kontaktbereich (254) eines Schaltungselements (250) herstellt, das in einem Halbleitergebiet des Halbleiterbauelements (200) ausgebildet ist; Bilden einer Aktivierungsschicht (221) über über dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210) und in der ersten Kontaktöffnung (210a); Entfernen eines ersten Bereichs der Aktivierungsschicht von dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial (210) und von einem Teil der ersten Kontaktöffnung (210a), während ein zweiter Bereich der Aktivierungsschicht zumindest an der Unterseite der ersten Kontaktöffnung bewahrt wird; wobei Entfernen des ersten Bereichs der Aktivierungsschicht umfasst: Vorsehen eines Opfermaterials (203) derart, dass die erste Kontaktöffnung (210a) gefüllt wird, und Entfernen eines ersten Teils des Opfermaterials (203) derart, dass ein zweiter Teil des Opfermaterials (203b) bewahrt wird, der den zweiten Bereich der Aktivierungsschicht abdeckt; Ausführen eines selektiven Abscheideprozesses...