| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (10) zur Simulation eines zwei äußere Anschlüsse (12, 14) aufweisenden und die Stromstärke und/oder den Widerstand zwischen diesen Anschlüssen (12, 14) in Abhängigkeit einer zu messenden Größe ändernden Sensors, mit einem die beiden Anschlüsse (12, 14) verbindenden Strompfad (16) in dem zwei Feldeffekt-Transistoren (22, 24) und ein Widerstand angeordnet sind und mit einer die Gates (26, 28) der Transistoren (22, 24) ansteuernden Schaltung zur Steuerung und/oder Regelung des Stroms (I) durch den Strompfad (16). Es ist vorgesehen, dass der Widerstand als ein in einem Brückengleichrichter (18) verschalteter Shunt-Widerstand (20) ausgebildet ist und die Schaltung eine Regelschaltung (30) ist, die den Strom (I) im Strompfad (16) über die an dem Shunt-Widerstand (20) abfallende Spannung erfasst und regelt. Die Erfindung betrifft weiterhin eine entsprechende Simulatoreinrichtung und ein entsprechendes Simulationsverfahren.
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