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Halbleitervorrichtung, enthaltend: ein Halbleitersubstrat (35) mit darin gebildeten Schaltungselementen, wobei das Halbleitersubstrat (35) einen zentralen Bereich (11) und einen den zentralen Bereich umgebenden Umgebungsbereich (12) aufweist, wobei eine Schaltstruktur in dem zentralen Bereich gebildet ist und eine Halbleiterstruktur (22) mit Durchschlagsspannungs-erhöhenden Strukturen in dem Umgebungsbereich gebildet ist, und einen auf dem Halbleitersubstrat gebildeten isolierenden Schutzfilm (46, 246), wobei der isolierende Schutzfilm (46, 246) auf dem Halbleitersubstrat in dem Umgebungsbereich gebildet ist und die Oberfläche (47, 247) des isolierenden Schutzfilms hydrophilisiert ist durch Hydroxylgruppen, die an die Oberfläche des isolierenden Schutzfilms gebunden sind, so dass der Kontaktwinkel zwischen der Oberfläche des isolierenden Schutzfilms und einem Wassertropfen kleiner als oder gleich 40 Grad ist. |
