硅凹槽光刻工艺及其适用的光掩膜

摘要

本发明提供了一种硅凹槽光刻工艺，按顺序包括以下步骤：多晶硅栅的形成；薄膜介电层沉积；光刻胶的形成；在PMOS部分形成硅凹槽：图案化所述光刻胶，保留所述PMOS部分多晶硅栅端位置的光刻胶，然后以图案化的所述光刻胶为掩膜，将所述多晶硅栅两侧的薄膜介电层刻蚀掉，并在硅衬底上刻蚀出硅凹槽；光刻胶的去除；异质结外延生长。本发明的硅凹槽光刻工艺通过将PMOS部分中多晶硅栅端位置上方的光刻胶予以保留，使其对多晶硅栅外层的薄膜介电层予以保护，避免被过刻蚀和暴露多晶硅栅，进而避免了在进行锗化硅外延生长时，在上述的多晶硅栅端位置外延生长锗化硅。

主权项

一种硅凹槽光刻工艺，其特征在于，按顺序包括以下步骤：多晶硅栅的形成：在硅衬底上形成多个长条形状的多晶硅栅，所述硅衬底包括PMOS部分；薄膜介电层沉积：沉积一层薄膜介电层以保护所述多晶硅栅；光刻胶的形成：在硅衬底上形成一层光刻胶；在所述PMOS部分形成硅凹槽：图案化所述光刻胶，保留所述PMOS部分多晶硅栅端位置的光刻胶，然后以图案化的所述光刻胶为掩膜，将所述多晶硅栅两侧的薄膜介电层刻蚀掉，并在硅衬底上刻蚀出硅凹槽；光刻胶的去除：将图案化的光刻胶清除；异质层外延生长：在多晶硅栅两侧刻蚀出的硅凹槽处外延生长异质层。