可变电阻存储器件和其驱动方法

摘要

在此公开可变电阻存储器件和其驱动方法。所述可变电阻存储器件包含：存储单元，其包括存储元件和存取晶体管，所述存储元件根据在置位或复位操作中施加至所述存储元件的外加电压的极性而在电阻上可变，所述存取晶体管在第一和第二公共线之间以串联方式连接至所述存储元件；以及驱动电路，其包括第一路径晶体管以及第二路径晶体管，所述第一路径晶体管连接在用于供给第一电压的第一供给线和所述第一公共线之间，所述第二路径晶体管连接在用于供给第二电压的第二供给线和所述第一公共线之间。

主权项

一种可变电阻存储器件，包含：存储单元，其包括存储元件和存取晶体管，所述存储元件根据在置位或复位操作中施加至所述存储元件的外加电压的极性而在电阻上可变，所述存取晶体管在第一和第二公共线之间以串联方式连接至所述存储元件；以及驱动电路，其包括第一路径晶体管以及第二路径晶体管，所述第一路径晶体管连接在用于供给第一电压的第一供给线和所述第一公共线之间，所述第二路径晶体管连接在用于供给第二电压的第二供给线和所述第一公共线之间，其中，所述驱动电路控制施加至所述第一路径晶体管的栅极电极的电压、施加至所述第二路径晶体管的栅极电极的电压和出现在所述第二公共线上的电压，以便在所述外加电压施加至所述存储元件以执行所述置位操作时，驱动所述第一路径晶体管进行漏极输出操作，而在所述外加电压施加至所述存储元件以执行所述复位操作时，驱动所述第二路径晶体管进行源极跟随器操作。