发明名称 |
具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置 |
摘要 |
本发明是关于具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构、方法及装置,所述的具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构包含:一基板;一微晶硅层,形成于所述的基板上方一显示区域中,所述的微晶硅层供做所述的显示区域中复数个薄膜晶体管的主动层;及一多晶硅层,形成于所述的基板上方一驱动电路区域中,所述的多晶硅层供做所述的驱动电路区域中复数个薄膜晶体管的主动层,其中所述的微晶硅层的晶粒大小小于所述的多晶硅层的晶粒大小。应用本发明可提高所述的有机发光二极管显示器的发光均匀度。 |
申请公布号 |
CN101521201B |
申请公布日期 |
2012.02.08 |
申请号 |
CN200810074096.0 |
申请日期 |
2008.02.25 |
申请人 |
奇美电子股份有限公司 |
发明人 |
刘侑宗;李淂裕 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构的制造方法,其特征在于,所述的具多晶硅层及微晶硅层的双底材主动层结构包括:提供一基板;形成一第一非晶硅层于所述的基板上方;图案蚀刻所述的第一非晶硅层,以形成一第一主动层于所述的基板上方,所述的第一主动层包含经图案蚀刻的所述的第一非晶硅层;形成一第一绝缘层于所述的第一主动层上方及未被所述的第一主动层覆盖的所述的基板上方;形成一第二非晶硅层于所述的第一绝缘层上方;进行激光退火,以使所述的第一非晶硅层形成一微晶硅层及所述的第二非晶硅层形成一多晶硅层;及图案蚀刻所述的多晶硅层,以形成一第二主动层于所述的基板上方未被所述的第一主动层覆盖的区域。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区苗栗县 |