| 发明名称 | 自旋极化载流子器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及自旋极化载流子器件，该器件包括：载流子通道，包括非铁磁半导体，其中载流子在载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与通道形成用于注入自旋极化载流子到通道一端的结；以及，至少一根连接到通道的导线，用于测量跨过通道的横向电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101738374B | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200910168401.7 | 申请日期 | 2009.08.24 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 耶尔格·冯德里西;托马斯·琼沃思;安德鲁·欧文;杰洛·希诺娃 |
| 分类号 | G01N21/17(2006.01)I;G01N21/21(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 曾贤伟 |
| 主权项 | 一种器件，包括：载流子通道，包括非铁磁半导体材料，其中载流子在所述载流子通道中呈现自旋轨道耦合；与所述通道传导类型相反的半导体材料区域，用于与所述通道形成用于注入自旋极化载流子到所述通道一端的结；以及至少一根连接到所述通道的导线，用于测量跨过所述通道的横向电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||