| 发明名称 | 半导体器件栅极的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法，在半导体衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上形成栅极多晶硅层，关键在于，形成栅极多晶硅层的方法包括：在所述栅氧化层上沉积第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行预掺杂；所述预掺杂采用离子注入的方式，所述离子为磷离子，注入剂量为2.0E15至5.0E15原子/立方厘米；在所述预掺杂的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成图案化的掩膜层并刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层；移除图案化的掩膜层。应用本发明避免了去除掩膜层过程中对预掺杂多晶硅层造成损伤，导致器件失效的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101770944B | 申请公布日期 | 2012.02.08 |
| 申请号 | CN200810208080.4 | 申请日期 | 2008.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 居建华 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
| 主权项 | 一种半导体器件栅极的制作方法，在半导体衬底上生成栅氧化层之后，在所述栅氧化层上形成栅极多晶硅层，其特征在于，所述形成栅极多晶硅层的方法包括：在所述栅氧化层上沉积第一多晶硅层；对所述第一多晶硅层进行预掺杂；所述预掺杂采用离子注入的方式，所述离子为磷离子，注入剂量为2.0E15至5.0E15原子/立方厘米；在所述预掺杂的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上形成图案化的掩膜层并刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层；移除图案化的掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||